是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。 1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？ 2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07
电容和扩散电容来表示。当二极管两端外加正向电压时，它削弱PN结的内电场，扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散和漂移的动态平衡被破坏，
2021-06-15 17:08
什么是TTL电平？什么是CMOS电平？开漏形式的电路有什么特点？
2021-09-28 07:56
能否说说理由？
2017-06-29 10:39
传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供 TTL/CMOS 电平输出等。（上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小，所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。） 开漏模式提供了
2023-06-20 08:38
寄生电容与片上电容的和，L1 为高频扼流圈。L0,C0为串联谐振网络，Rload为等效负载。当晶体管饱和导通时，漏端电压为零，由于负载网络的影响，电流Ld(ωt)有一个上升和下降的过程。当晶体管截至
2019-08-06 06:01
看到书上讲推完变换器的原理，说道当MOS管开通，由于变压器次级在整流二极管反向恢复时间内造成的短路，漏极电流将出现尖峰在MOS管关断时，高频变压器的漏磁通下降，漏感依然将释放储能，变压器绕组上，相应
2017-07-22 11:57
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用？为何漏极48V导通后栅极就变成63V了？
2015-07-30 14:49
最近几年，我们已经开始看到一些有关射频(RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。本文将探讨这类RF所指代的真正含义，并阐述它们对RF电路设计人员的重要性。我们可以从三个角度
2019-06-25 08:17
STM8的引脚要怎么才能输出CMOS电平
2023-10-11 08:20
