门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，其具有很低的导通电阻（几百欧）和很高的截止电阻（大于10^9欧）。所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并
2018-04-08 14:06
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺
2018-03-09 14:28
本文主要介绍了cmos传输门芯片型号有哪些？重点介绍了四联双向开关CC4016cmos传输门芯片。CMOS传输门由一个P沟道和一个N
2018-04-08 14:27
栅极（Gate）是晶体管的核心控制结构，位于源极（Source）和漏极（Drain）之间。其功能类似于“开关”，通过施加电压控制源漏极之间的电流通断。例如，在MOS管中，栅极电压的变化会在半导体表面形成导电沟道，从而调节电流的导通与截止。
2025-03-12 17:33
MOSFET在数字电路中的常见形式是互补MOS(CMOS)电路。CMOS技术将n沟道和p沟道MOSFET成对集成在同一芯片上，成为数字集成电路的主导技术，相比单独使用N
2025-04-16 11:55 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
在集成电路和微电子领域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体）晶体管是一种基本的电子元件，根据其导电沟道的类型不同，可以分为NMOS（N型金属氧化物半导体
2024-05-28 14:40
沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。
2024-03-20 10:19
由于CMOS图像传感器的应用，新一代图像系统的开发研制得到了极大的发展，并且随着经济规模的形成，其生产成本也得到降低，现在，CMOS图像传感器的画面质量也能与CCD图像传感器相媲美。##
2014-07-16 10:02
一、电弧的形成 开关电器触头刚分开瞬间，阴极在强电场和高温的作用下发射电子，自由电子在触头电压作用下高速运动，产生碰撞游离导致介质击穿形成电弧。电弧形成后，由于弧柱温度很高，介质产生游离使电弧得以
2023-09-28 16:11
