请问：CMOS管的功耗与MOS管的导电沟道的关系？
2023-11-20 07:01
最近使用MSP430F2272做一款产品，使用3V纽扣电池供电。里面有一个P沟道的CMOS管作为开关，使用IO直接驱动。但在测试的时候发现，CPU会重启。经过排查发现是IO驱动COMS管这里
2015-09-14 17:55
了耗尽区域。当电子到达通道时，就会形成通道。正电压还将电子从n+源极和漏极区域吸引到沟道中。当在漏极和源极之间施加电压时，电流在它们之间自由流动，栅极电压控制通道中的电子。如果我们施加负电压而不是正电
2023-02-02 16:26
请问：CMOS管的功耗与导电沟道的关系？
2016-09-03 11:35
CMOS Logic gate对输入逻辑0或1时，CMOS逻辑门并不会从输入或电源拉电流对于前一级，CMOS仅表现为一个电容负载; 对于后一级，表现为电阻（沟道电阻）
2022-07-08 17:03
采用p型沟道和n型沟道的三极管来控制导通情况。2者的输出级都提供有源上拉至高态及下拉至低态的机制。TTL器件和CMOS器件有着不同的逻辑电平。典型的CMOS逻辑电路是在
2012-04-25 11:17
到漏极。MOSFET内形成的沟道对从源极到漏极的电流提供阻力，并且沟通的横截面取决于施加在栅极端子上的负电压。因此，从源极流向漏极的电流可以通过施加在栅极端子上的电压来控制，所以MOSFET被称为电压
2022-09-27 08:00
新技术（请参看问答1），鉴于N沟道场效应管在生产工艺和电气性能方面均比P沟道场效应管优越的原因，CMOS电路采用P衬底是理所当然的，因为在采用CMOS产生工艺的集成电路
2012-05-22 09:38
耗尽型的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（UGS=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够多的负电荷，形成
2015-06-15 18:03
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58
