MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指漏极和源极之间的电压。当漏极电压增大
2024-09-18 09:52
（plate）和抑制栅极（suppressor grid）。帘栅极是五极管中的一个重要组成部分，它的作用是减少控制栅极和阳极之间的电容效应，提高放大器的稳定性和频率响应。 在五极管中，帘
2024-09-24 14:34
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了MOS管的导通和截止状态，进而
2024-09-18 09:42
综上所述，二极管两端的正偏电压不断增大，会使二极管经历死区、导通和击穿烧坏三个阶段。在正常使用时，二极管两端的电压不能太大。
2019-10-07 15:09
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文
2021-06-12 17:12
许多需要精确控制时间的电子电路都使用晶体振荡器。下图所示的仅使用一个基于NAND栅极的CMOS 4011的简单晶体振荡器。电阻R1将栅极偏置为线性区域，电容C2和C3分压形成Colpitt振荡器。
2023-04-08 10:02
创建可以缓解密勒效应寄生导通的栅极负电压驱动器并不一定很复杂。许多现有的单极性工作的栅极驱动器，借助很少的外部电路就可以轻松驱动栅极负
2018-11-14 09:19
音响设备中，电子管仍然因其独特的音质特性而受到一些音频爱好者的青睐。 帘栅极电压是电子管中的一个重要参数，它影响着电子管的工作状态和性能。在电子管中，帘栅极（grid）是用来控制阴极（cathode）发射的电子流的。
2024-09-24 14:42
通常接地，其作用是帮助阳极共同吸引穿过栅极的电子，使其加速飞向阳极。由于帘栅极加有与阳极等值的直流电压，它又被称为第二阳极。帘栅极的存在不仅
2024-09-24 15:28
如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动，电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧，就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2018-11-27 09:06
