发文章
发资料
发帖
提问
发视频
0
搜索热词
型号：全<b class='flag-s-7'>极</b>OCH1660 品牌：
OCH1660全极性霍尔效应传感器集成电路采用混合信号CMOS技术制造。它由两个霍尔板和一个CMOS输出驱动器组成，主要用于电池供电。元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大
2022-11-30 16:26 科之美 企业号
型号：1N80G-TA3-T-VB 品牌：微碧
**产品简介：**1N80G-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有850V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅
2024-07-09 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：1N40L-TA3-T-VB 品牌：微碧
**产品简介：**1N40L-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅
2024-07-08 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SP2555NUTG 2.5V 45A二<b class='flag-s-7'>极</b>管阵列 品牌：
SP2555NUTG 2.5V 45A二极管阵列 SP2555NUTG 2.5V 45A二极管阵列是一款低电容TVS二极管阵列，旨在保护高速差分数据线路免受ESD（静电放电）、CDE（电缆
2022-06-29 16:04 常州鼎先电子有限公司 企业号
型号：1STS8215-VB 品牌：微碧
**产品简介：**1STS8215-VB是一款双N沟道和双P沟道功率MOSFET，具有20V的漏极-源极电压（VDS），20V的
2024-07-09 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：200N6F3-VB TO220 品牌：微碧
**产品简介：**200N6F3-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极
2024-07-09 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：1N60L-TF3-T-VB 品牌：微碧
**产品简介：**1N60L-TF3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅
2024-07-09 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：AH501高灵敏双<b class='flag-s-7'>极</b>霍尔开关 品牌：
AH501是一款基于BCDMOS技术设计的高灵敏度双极霍尔开关芯片。芯片包括温度补偿、比较器和输出驱动器。此外，机械应力对芯片的磁性参数影响很小，适用于工业环境和汽车
2023-02-14 14:12 科之美 企业号
型号：2SK1503-01-VB 品牌：微碧
，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压，适用于需要处理中等电压和电流的应用。**特点：**- **漏
2024-07-16 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：2SK1447-VB 品牌：微碧
的导通电阻和较高的漏极-源极电压，适用于需要处理中等电压和电流的应用。**特点：**- **漏
2024-07-16 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
