N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）
2023-11-23 09:13
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）
2023-05-09 09:06
之间的连接是理解该器件工作原理的关键。 MOS管结构简介： MOS管是由一片半导体材料（通常是硅）构成的，通过在硅片上掺杂不同类型的杂质形成两个PN结。这些杂质掺入区域形成了源
2024-01-10 15:34
结组成。一个PN结是由P型半导体和N型半导体组成，另一个PN结是由N型半导体和P型半导体组成。漏极、源极和
2023-11-21 16:00
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电.栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。漏
2017-11-23 16:20
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压
2024-09-18 09:52
（plate）和抑制栅极（suppressor grid）。帘栅极是五极管中的一个重要组成部分，它的作用是减少控制栅极和
2024-09-24 14:34
MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚
2023-02-27 17:41
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之
2024-09-18 09:58
是两个重要的参数，它们对电流的影响非常显著。 首先，我们来讨论MOSFET栅极电路电压对电流的影响。在MOSFET中，栅极电路的
2023-10-22 15:18
