Qorvo的 QPD1006 RF 晶体管 Qorvo 的 QPD1006 是一款工作频率为 1.2 至 1.4 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶体管。它提供 313 瓦
2024-08-27 23:43 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**10P6F6-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。该器件具有60V 的漏极-源极
2024-07-05 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**10NM60ND-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。该器件具有650V 的漏极-源极
2024-07-05 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**10N65T-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。该器件具有650V 的漏极-源极
2024-07-04 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号
TensION电压测试笔适用AC & DC静电消除器及静电产生设备的检测使用、非接触感应亮灯显示模式、操作非常安全和便捷。操作时无需接触到静电设备的发射极(离子针)，只要依据不同设备的工作
2021-12-22 17:55 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
250V三相栅极驱动-CK5G14详细介绍 产品简述 ：CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极 驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功
2022-08-17 10:41 深圳市瑞江无限科技有限公司 企业号
一、STT6602-VB产品简介：STT6602-VB是VBsemi品牌推出的一款SOT23-6封装的双N+P沟道场效应管。该器件在±20V的电压范围内
2024-06-17 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSS192-VB 是一款高电压单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 SOT89，专为高电压开关和负载控制应用设计。它具有 -200V 的漏
2025-01-10 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
