N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）
2023-11-23 09:13
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）
2023-05-09 09:06
结组成。一个PN结是由P型半导体和N型半导体组成，另一个PN结是由N型半导体和P型半导体组成。漏极、源极和
2023-11-21 16:00
之间的连接是理解该器件工作原理的关键。 MOS管结构简介： MOS管是由一片半导体材料（通常是硅）构成的，通过在硅片上掺杂不同类型的杂质形成两个PN结。这些杂质掺入区域形成了源
2024-01-10 15:34
`设计了一个D类功放，在不加大电压的情况下，用示波器测量功放管的栅极处的驱动信号是正常的，但是在管子
2019-02-21 11:23
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电.栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。漏
2017-11-23 16:20
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压
2024-09-18 09:52
（plate）和抑制栅极（suppressor grid）。帘栅极是五极管中的一个重要组成部分，它的作用是减少控制栅极和
2024-09-24 14:34
MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚
2023-02-27 17:41
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极
2018-08-09 17:09
