作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现非易失性门控功能的替代方案，这些电路使用串行接口控制的数字电位器（MAX5427或MAX5527）存储门控信号（模块或发送）。
2023-01-12 11:30
大型厂商的产品导入、存储级内存（SCM）的新兴应用以及五大逻辑代工厂的涉足将推动非易失性存储市场的增长。 新兴非易失
2018-07-04 11:55
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失
2025-02-28 10:48
事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及
2019-06-16 09:48
在许多较早期的系统中，代码存储使用ROM或者OTP-EPROM，它们是非易失性的且不能在系统中进行修改。因此，设计上的主要问题是存储器的大小、存取时间，以及工作电压等基本参数。 随着嵌入实系统的发展要求对存储器进行应
2019-04-21 09:53
MAXQ器件包含的硬件部分可以实现伪冯诺依曼架构，如同访问数据空间一样访问代码空间。这种额外的多功能性，结合MAXQ的效用函数，可实现存储器的擦写服务，为完整的可读写非易失存
2011-05-31 11:51
为了实现 对非易失内存的管理与利用、对文件数据缓存的管理与访问，本文设计并实现了面向非易失内存的MPI-IO接口优化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53
以下待机/ON开关适用于应用（例如工业和电信），在这些应用中，在没有操作员在场时发生电源故障后，电路必须以某种方式“记住”其状态（待机或ON）。基于电池（或超级电容器）和触发器的替代方法不太可靠，因为如果漏电流耗尽电池，其状态可能会丢失。另一种选择涉及使用微控制器和EEPROM，但这需要软件和启动时间的规定。此外，用于此应用的独立EEPROM具有尴尬的接口。
2023-06-26 10:54
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，
2025-02-27 09:09
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续
2025-02-27 09:19
