CMOS-4 - CMOS-4 - NEC
2022-11-04 17:22
数字电位器存储类型标注具有“易失性”，他的意思是不是说，假设当前已经调节好电位器处于3.5kΩ这个位置，那么断电再上电后，电位器就回到初始状态位置，不再是3.5kΩ这个位置了。“非
2024-11-21 07:15
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失
2020-04-08 14:58
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易
2023-05-30 08:48
并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性
2022-11-14 15:34
易失性，而无需长的写入周期和与EEPROM相关的写入周期限制。bq4011不需要外部电路，插座与行业标准SRAM和大多数EPROM和EEPROM兼容。功能描述当电源有效时，bq4011作为标准
2020-09-16 17:15
0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15
计算机、游戏机、电信、汽车、工业系统以及无数电子设备和系统都依赖于各种形式的固态存储器进行操作。设计人员需要了解易失性和非易失性存储器件的各种选项，以优化系统性能。
2023-09-14 16:06
作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现非易失性门控功能的替代方案，这些电路使用串行接口控制的数字电位器（MAX5427或MAX5527）存储门控信号（模块或发送）。
2023-01-12 11:30
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21
