对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。静电由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电
2018-04-04 17:01
关于CMOS 和TTL器件的区别CMOS：互补金属氧化物半导体逻辑器件TTL：晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两
2012-04-25 11:17
摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路
2018-08-27 15:54
CMOS器件空闲管脚怎么处理？
2021-11-05 08:40
电路板之后，移动电路板时应保持电路板接地或屏蔽。SCR闩锁在使用模拟CMOS电路时，最安全的做法是确保没有超过电源电压的模拟或数字电压施加到器件上，并且电源电压在额定范围内。尽管如此，实施承受过压保护
2018-10-29 14:49
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF
2018-10-22 16:02
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
2021-03-09 08:34
74HC244高速CMOS器件怎么样？
2021-10-29 07:55
TTL,CMOS都属于数字电路。TTL电流控制器件输出高电平>2.4V输出低电平2.4V输出低电平
2021-12-09 08:15
的综合要求下，保护方案遇到了空前的挑战。GDT陶瓷气体放电管器件是一种较受欢迎的过压保元件，传统GDT处理浪涌能量及维持电气隔离的关键在于其整体的直径和长度。为了进一步优化产品体积浪拓新推出SMD-GDT
2015-03-11 15:00
