控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低？ PN结是半导体器件中重要的一种，它是由掺有不同的杂质形成的结构而成。在PN结中，P层和N层之间形成了一个电势垒，这个电势垒可以阻止电流的自由流动。而当PN
2023-09-13 15:09
热波系统通过激光诱导热效应与晶格缺陷的关联性实现掺杂浓度评估。其核心机制为：氩泵浦激光经双面镜聚焦于晶圆表面，通过光热效应产生周期性热波，导致局部晶格缺陷密度变化。
2025-07-04 11:32
的应用。 对石墨烯进行氮掺杂有望弥补本征石墨烯零带隙和载流子密度低的缺憾，实现其在电子器件领域的广泛应用。然而，目前氮掺杂石墨烯(NG)的合成主要面临两个问题： 氮掺杂石墨烯中的氮
2020-10-23 10:24
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及
2024-07-25 14:27
通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻
2022-11-01 10:14
掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
2024-04-09 09:41
问题，今天为大家介绍一个可以快速修改材料掺杂参数的方法。 如上图所示，我们设置了一个单层n型掺杂浓度为11024 m3的In0.50Ga0.50N材料。在生成.geo文件后，我们在.doping文件中就
2020-04-07 15:49
作者通过第一性原理计算发现通过对铁电材料的掺杂，可以产生极化结构到具有中心反演结构的结构相变，从而“软化”极化声子模。在临界电子浓度附近，伴随“软化”的极化声子模，电声子耦合强度增加，从而为产生常规
2021-04-25 16:19
