在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 (a)FIB (b) 掺杂前后对比
2025-01-08 08:46
为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 为什么就不能在半导体中掺杂四价元素或六价元素？
2012-11-25 13:30
碰撞电离率模型进行化简计算。(3)应用准确的Chynoweth碰撞电离率模型，基于已有的Miller公式，对不同漂移区掺杂浓度下的S参数进行了确定，提出了参数S与漂移区掺杂浓度
2019-10-30 13:22
参与导电的；而MOS器件的反形层中只有一种载流子参与导电。但并不是因为两种载流子导电总的迁移率就大了。而且情况可能恰恰相反。因为载流子的迁移率是与温度和掺杂浓度有关的。半导体的掺杂
2019-03-02 06:00
很久，对于轻度掺杂或者重度掺杂的半导体，无论是N型半导体或者P型半导体，其本质也是呈现电中性的，那为什么会有N或者P型半导体的说法，其中的空穴或者电子导电，与其对应的电子或者空穴却没有移动形成电流
2024-02-21 21:39
可以用于判断开基区晶体管或Shockley二极管的正向阻断电压。Miller公式中S参数与掺杂浓度存在着密切关系。此次，我们将基于已有的Miller公式，应用MATLAB对不同漂移区掺杂
2019-10-30 13:56
材料中PN结处掺杂浓度； SCM是通过侦测样品表面的电容变化来换算半导体材料中PN结处掺杂浓度；如果有销售该类产品的厂商，请直接联系19449984@qq.com并留下
2012-02-13 09:34
气管。长度小于：6MM,集成度更高7，可控硅驱动电磁阀，非断电器方式。换气时,不会影响浓度测量精度.可靠性高8,超声方式，完全代替电化学传感头，免维护9，高原地区不影响浓度精度详情:www.szdingguang.com/sound`
2013-04-26 23:22
基于单片机的酒精浓度测试仪的设计本文设计了一款便携式的酒精浓度测试仪，该设计方案采用的是89C52单片机和MQ-3酒精浓度传感器。待检测到气体信号时，酒精传感器采集得到的信号经过模数转换模块进行转换
2021-11-10 06:44
