控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低？ PN结是半导体器件中重要的一种，它是由掺有不同的杂质形成的结构而成。在PN结中，P层和N层之间形成了一个电势垒，这个电势垒可以阻止电流的自由流动。而当PN
2023-09-13 15:09
的应用。 对石墨烯进行氮掺杂有望弥补本征石墨烯零带隙和载流子密度低的缺憾，实现其在电子器件领域的广泛应用。然而，目前氮掺杂石墨烯(NG)的合成主要面临两个问题： 氮掺杂石墨烯中的氮
2020-10-23 10:24
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及
2024-07-25 14:27
通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻
2022-11-01 10:14
在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 (a)FIB (b) 掺杂前后对比
2025-01-08 08:46
掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
2024-04-09 09:41
问题，今天为大家介绍一个可以快速修改材料掺杂参数的方法。 如上图所示，我们设置了一个单层n型掺杂浓度为11024 m3的In0.50Ga0.50N材料。在生成.geo文件后，我们在.doping文件中就
2020-04-07 15:49
CMOS-4 - CMOS-4 - NEC
2022-11-04 17:22
利用蓝色发光材料DPVBi掺杂高荧光染料rubrene做发光层制备了蓝色发光器件。在掺杂浓度为1.5%(wt)左右的情
2009-09-15 10:00
