CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是
2024-11-04 15:31
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应
2022-11-14 09:32
阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管
2023-06-09 11:31
p型半导体（也称为空穴半导体）的形成是一个涉及半导体材料掺杂和物理性质变化的过程。以下是对p型半导体形成
2024-08-15 17:02
本文首先介绍了P型半导体和N型半导体，其次介绍了pn结的形成，最后详细的阐述了pn结的形成原理。
2018-09-06 18:20
倒掺杂阱（Inverted Doping Well）技术作为一种现代半导体芯片制造中精密的掺杂方法，本文详细介绍了倒掺杂阱工艺的特点与优势。 在现代半导体芯片制造中，倒掺杂阱
2025-01-03 14:01
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会
2024-11-09 10:04
