CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是
2024-11-04 15:31
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会
2024-11-09 10:04
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目
2017-11-25 11:07
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
贴片加工中优良焊点的微观结构受所使用工艺的影响。在所有其他条件相同的情况下-----同样的合金同、同样的PCB焊盘的表面处理、相同的元器件，焊点的微观结构会随着SMT工艺参数的改变而改变。对于一个已知的系统，在形成焊
2019-12-27 11:26
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
根据图像传感器的应用和制造工艺，图像传感器可分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器。 特别是CMOS图像传感器（CIS）不仅被搭载于数码相机，还被广泛应用于智能手机、平板电脑、CCTV、汽车黑匣子、无人驾驶车辆传感
2024-01-24 09:30
STI 隔离工艺是指利用氧化硅填充沟槽，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离。利用STI 隔离工艺可以改善寄生场效应晶体管和闩锁效应。
2024-11-01 13:40
