工艺--以P阱硅栅CMOS为例 2。阱区注入及推进，形成
2011-09-23 14:43
什么是闩锁效应？闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-
2012-08-01 11:04
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般
2021-07-06 09:32
13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选
2009-10-06 09:52
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
双极型集成电路中元器件的形成过程及其结构。典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程图 1.衬底选择2. 第一次光刻—N+埋层扩散孔3. 外延层淀积第二次光刻—P+隔离扩
2018-11-26 16:16
问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底？两者有什么区别啊？答:为什么CMOS工艺采用
2012-05-22 09:38
逆变器3.第一步将是形成n（1）用 SiO2（氧化物）保护层覆盖晶圆（2）删除应构建 n 阱的层（3）植入或扩散 n 掺杂剂进入暴露的晶圆（4）剥离 SiO2如有侵权，请联系作者删除`
2021-07-08 13:13
推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有
2020-11-27 16:36
在我用photodiode工具选型I/V放大电路的时候，系统给我推荐了AD8655用于I/V，此芯片为CMOS工艺 但是查阅资料很多都是用FET工艺的芯片，所以请教下用于光电信号放大转换（主要考虑信噪比和带宽）一般我
2025-03-25 06:23
