CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是
2024-11-04 15:31
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
CMOS工艺流程介绍，带图片。 n阱的形成 1. 外延生长
2022-07-01 11:23
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应
2022-11-14 09:32
CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻 ，防止闩锁效应。
2020-10-12 08:00
阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管
2023-06-09 11:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般
2021-07-06 09:32
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
