,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor
2020-09-25 10:44
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺,它包括两个区域,即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺,它包括两个区域,即n-MOS和p-MOS 有源区,分別对应p阱和N
2022-11-14 09:32
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
阱区注入的工艺说明如下图所示,是高能量离子注入过程,因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型
2023-06-09 11:31
CMOS工艺流程介绍,带图片。 n阱的形成 1. 外延生长
2022-07-01 11:23
与亚微米工艺类似,双阱工艺是指形成NW和PW的工艺,NMOS 是制造在PW里的,PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离,使器件之间形成电性隔离,优化晶体管
2024-11-04 15:31
与亚微米工艺类似,源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺,降低器件有源区的串联电阻,提高器件的速度。同时源漏离子注
2024-11-09 10:04
CMOS是一个简单的前道工艺,大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58