，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor
2020-09-25 10:44
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N
2022-11-14 09:32
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型
2023-06-09 11:31
CMOS工艺流程介绍，带图片。 n阱的形成 1. 外延生长
2022-07-01 11:23
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管
2024-11-04 15:31
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注
2024-11-09 10:04
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
拉深是基本冲压工序之一 本章在分析拉深变形过程及拉深件质量影响因素的基础上，介绍拉深
2009-10-17 15:06
