CMOS工艺流程介绍1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；2. 开始：Pad ox
2018-03-16 10:40
互补金属氧化物半导体（CMOS）技术是现代集成电路设计的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的互补特性来实现低功耗的电子设备。CMOS工艺的发展不仅推动了电子设备的微型化，还极大提高了
2025-05-23 16:30
。在本期开始，我们将开始主要将关注点放在CMOS工艺上，将主要讨论4种完整的CMOS工艺流程。首先是20世纪80年代初的CMOS
2023-07-24 17:05
本节将介绍 CMOS 超大规模集成电路制造工艺流程的基础知识，重点将放在工艺流程的概要和不同工艺步骤对器件及电路性能的影响上。
2025-06-04 15:01
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工
2024-03-18 09:47
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、
2025-03-21 14:21
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
本文介绍了背金工艺的工艺流程。 本文将解析一下背金工艺的具体的工艺流程及每步的工艺原理。 背金
2025-02-12 09:33
Transistor）集成在同一芯片上的技术，它结合了CMOS技术的高集成度、低功耗优点和双极型晶体管的高速、强电流驱动能力，为高性能的集成电路设计提供了可能。本文将详细介绍BiCMOS技术的原理、特点以及工艺流程。
2024-05-23 17:05
