近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目
2017-11-25 11:07
本文实现了一种正面开口的热电堆结构，采用XeF2作为工作气体干法刻蚀工艺释放器件。相对于刻蚀硅，XeF2气体对铝等材料的刻蚀速率极小，这样就可以采用标准CMOS工艺中最常用的材料
2012-05-02 17:26
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
射频识别(RFID)市场出现强劲增长，2004年其销售额高达17亿美元，2008年预计将达到59亿美元。这种激增的需求受到来自下一代RFID系统的带动，下一代系统将会提供非视距的可读性、改进的安全性，并可以重新配置产品信息。这些应用包括了库存跟踪、处方用药跟踪和认证、汽车安全钥匙，以及安全设施的门禁控制等。在很多以前的出版物中可以找到有关RFID应用与发展良机的细节。
2017-12-11 17:06
模拟除法器是一种能实现两个模拟量相除的电子器件。目前不仅应用于模拟运算方面，而且已扩展到无线通讯、电视广播、人工神经网路、机器人控制技术等领域。此外，模拟除法器在模糊控制和测量仪表中也是非常重要的器件。
2014-09-19 15:14
体声波（BAW）和薄膜腔声谐振器（FBAR）滤波器被分别用来替代移动电话中的传统射频滤波器，因为目前其性能已超过表面波（SAW）滤波器，而且可以通过标准集成电路技术生产，极具价格竞争力。##BAW的制作##BAW滤波器的建模和设计
2014-05-19 10:19
随着移动通信技术的迅速发展，对射频电路的高速、低功耗要求日益增长。基于锁相环(PLL)结构的频率合成器是收发机前端电路的重要组成部分，对为混频器提供纯净的本振信号，具有重要地位。在PLL中，压控振荡器(VCO)和前置分频器(Prescaler)是工作在最高频率的两个模块，它们是限制 PLL工作频率的主要瓶颈，因此提高前置分频器的工作速度是解决限制PLL工作频率上限的一个关键因素。
2017-12-10 03:30
PWM，PWM / PFM控制升压DC / DC转换器
2019-05-28 15:30
在地面数字电视广播（DVB－T）系统的中，由于各种因素的影响，DVB－T调谐器（Tuner）接收到的信号往往会有较大的强弱变化。这就需要设计一种自动增益控制（AGC）电路，它能根据输入信号的大小变化调节接收机的增益，在系统输出端保持一个稳定的输出信号。在AGC系统中，可变增益放大器是其核心组成部分，直接决定了系统的性能。同时，由于DVB－T系统采用了比较复杂的OFDM编码方式，因此接收机必须有较高的输出信噪比即较低的噪声系数和不低于8MHz的信号带宽。
2020-08-17 15:38
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
