）和PMOS（P型金属氧化物半导体）。而CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）则是由NMOS和PMOS组成的集成电路技术。本文将详细介绍NMO
2024-05-28 14:40
MOS管是非常常用的分立器件产品，通常它有三个脚，为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。NMOS是在
2024-09-13 09:14
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成
2017-11-25 11:07
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
随着国产衬底的生产工艺和控制能力的不断提升，国产衬底的应用也越来越广。作者就国产衬底在双极型集成电路制造中普遍关心的问题
2018-04-22 09:53
参考上面的CMOS反相器图，由于CMOS器件输入端的电压在5伏和0伏之间变化，因此PMOS和NMOS的状态将相应地不同。
2021-01-21 11:37
衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。
2024-05-23 11:49
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，
2019-06-11 17:19
现阶段，无线连接市场发展迅速，市场规模不断扩张，其中主要驱动力是移动设备以及物联网应用的爆发式增长。在无线连接中射频前端芯片有着关键的作用，目前主要采用GaAs或SiGe工艺
2018-04-13 12:16
