新技术（请参看问答1），鉴于N沟道场效应管在生产工艺和电气性能方面均比P沟道场效应管优越的原因，CMOS电路采用P衬底是理所当然的，因为在采用CMOS产生
2012-05-22 09:38
中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI
2012-01-12 10:47
，这个基板转换过程会涉及到另一种工艺，良率也存在一定问题。所以目前我们主要是以蓝宝石材料为主，该技术已经发展得比较久也非常成熟。 硅衬底的技术很早就在研究，但是一直没有发展起来，主要是因为以下
2012-03-15 10:20
什么是闩锁效应？闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n
2012-08-01 11:04
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
处理的模拟部分提出了更高的要求，例如：在光电子接口通信场合，从OC-48到新的OC- 192,要求有能够处理GHz以上信号的能力。 标准CMOS工艺技术在高速电路中的地位受到怀疑，各种新型
2018-11-26 16:45
COMS工艺制程技术主要包括了：1.典型工艺技术：①双极型工艺技术② PMOS工艺技术③NMOS
2019-03-15 18:09
同一硅衬底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶体管。 制造方法概述 制作工艺顺序硅制造（详细内容略）晶圆加工（详细内容略）光刻（详细内容略）氧化物生长和去除（详细内容略）扩散和离子注入（详细内容略
2021-07-09 10:26
设计LNA，使用了tsmcrf工艺库中nmos2vdnw，衬底加了偏置电压。在版图设计中，LVS报错。应该是与dnw有关。希望有相关经验的高手能给点建议？
2021-06-24 06:25
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清
2021-07-06 09:32
