MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通电压与漏电流之间的关系是MOS管工作特性的重要方面。以下是对这一关系的分析: 一、MOS管的导通电压 MOS管的
2024-11-05 14:03
硅二极管的导通电压是一个关键的参数,它决定了二极管何时开始导电。在大多数情况下,硅二极管的导通电压被称为“门槛电压”或“
2024-10-14 17:08
导通电阻是二极管的重要参数,它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生
2022-01-29 15:49
比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势,但与UnitedSiC FET相比,这表明潜在的损耗更高,整体效率低下。
2023-02-21 09:24
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低,SiC MOSFET似乎占据了优势,但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比,它的潜在损耗较高,整体效率低。
2022-11-14 09:05
对于MOSFET,欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻,对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
CBMG701/CBMG702供电范围是1.8V至5.5V,非常适用于电池供电的仪器。图1显示,逻辑输入为1时,CBMG701的开关闭合,CBMG702的开关断开。开关通道打开时,每个开关在两个方向上都能同样良好地导通信号。
2023-04-24 10:14
门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成,其具有很低的导通电阻(几百欧)和很高的截止电阻(大于10^9欧)。所谓传输门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并
2018-04-08 14:06
导言在追求更高效率、更高功率密度的电源转换器设计中,宽禁带半导体(GaN、SiC)器件扮演着越来越关键的角色。然而,理解这些器件在高速开关过程中的真实性能,特别是其动态导通电阻(RDS
2025-09-12 17:14 深圳市日图科技有限公司 企业号
导致大型机器出现严重的散热问题。 图1是典型的5V CMOS驱动器,其50欧姆传输线连接到无源CMOS接收器。 图1.典型的串联终端CMOS传输线 无源接收器意味着它仅对输入端呈现的
2020-12-30 12:53