长脉宽单稳态电路图
2009-05-08 13:57
为什么BJT比CMOS速度要快？ BJT（双极性晶体管）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是两种常见的晶体管技术，分别用于电子设备和集成电路中。在某些方面，BJT具有比CMOS
2023-12-07 11:37
在集成电路领域中，深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一个重要指标，通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联，包括有浅槽隔离的间隙、晶体管
2023-07-14 16:31
3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。
2011-01-14 16:10
来源：集成电路材料研究 近日，拓荆科技在接受机构调研时表示，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端
2024-09-25 11:19
碱锰电池是否真比锌碳电池的放电时间长？ 碱锰电池是比锌碳电池的放电时间长。同样的尺寸碱锰电池的能量容量是锌碳电池的两倍。而且负荷力要高
2009-11-05 09:51
在大接地电流系统中，相间保护的时限比零序保护动作的时限要长
2023-08-16 17:15
高速、宽分频范围的可编程频率分频器设计一直是射频频率综合器设计中的难点，它的工作速度限制了频率合成器输出信号的最高频率，它的相位噪声影响频率合成器的带内相位噪声。文中设计的可编程分频器应用于移动
2019-06-06 08:05
1、CMOS集成模拟开关的基本原理 CMOS模拟开关具有电源电压范围宽（4000系列
2010-12-06 13:06
官网显示，长光辰芯成立于2012年，是一家专注于高性能CMOS图像传感器设计研发的国际化企业。长光辰芯拥有海内外一流的半导体物理学专家和技术团队，具备科学级背照式CMOS
2023-01-31 17:18
