该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该
2023-07-18 17:13 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,
2023-11-27 16:37 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该
2023-07-18 17:08 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号