早期的栅极是用金属制作的，但现在由导电的多晶硅取代。栅极位于一层薄薄的二氧化硅上，这是一种绝缘体。衬底，栅极，源极和漏极，通过金属端子与外界连接。
2022-09-15 16:13
近日，IEEE Spectrum刊文指出，比利时imec微电子研究所在现有的CMOS制造工具基础上，成功研发出超导处理器。该超导处理器主要借助“约瑟夫森节”的独特构造来构建基本逻辑单元及SRAM缓存模块。
2024-05-27 17:52
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器（RAM）和非易失性存储产品的特性。 当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状
2020-10-30 16:47
环栅器件沟道形成是在Si衬底上外延生长SiGe/Si的超晶格结构，然后进行选择性刻蚀形成堆叠Si纳米片沟道。该工艺的关键是：①外延高质量的SiGe/Si超晶格结构，并在浅槽隔离（Shallow Trench Isolation, STI）工艺后保持SiGe/Si的界面处不发生Ge扩散；
2022-11-16 10:12
IBM公司宣布，将提供用于可拍照手机、数码相机和其它消费产品的CMOS图像传感器的技术与制造服务。 IBM去年9月宣布了与柯达进行CMOS传感器研发与制造合作，
2018-11-20 15:43
cmos图象传感器 CMOS：互补型金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的
2008-01-09 13:06
(MGS)。总减少量由以下等式控制硅在高温下暴露于氧化剂时，很容易在所有暴露表面形成氧化物薄层。硅的天然氧化物以二氧化硅 (SiO) 的形式存在。在 CMOS 制造方面，SiO2 可以作为器件结构（例如栅极
2021-07-06 09:32
