）和PMOS（P型金属氧化物半导体）。而CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）则是由NMOS和PMOS组成的集成电路技术。本文将详细介绍NMOS、PMOS和CMOS的
2024-05-28 14:40
CCD的工作原理是将光子信号转换成电子包并顺序传送到一个共同输出结构，然后把电荷转换成电压。接着这些信号会送到缓冲器并存储到芯片外。在CCD应用中，大部分功能都是在相机的电路板上进行的。当应用需要
2018-05-03 14:40
本次仿真的是2018年的论文[1]，无三极管和电阻的，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，温度特性好，但基准输出值不太好调节。
2023-11-21 18:25
量子点探测器的主体结构为三明治结构，发射极和收集极均为重掺杂层，势垒层之间堆叠二维量子点阵列。量子点探测器主要分为PIN结构量子点探测器、CMOS
2022-07-10 16:37
作者 IC_learner 在此特别鸣谢； 今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。 今天的主要内容如下所示： ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ** ·CMOS
2023-01-28 08:16
本文介绍了CMOS器件输入、输出级电路所含CMOS反相器的电路结构和工作原理，从理论上分析了CMOS器件的静态功耗是0。然后分析了实际
2023-10-31 10:35
CMOS结构封装括一个PNPN可控硅类型单元，由VDD和VSS之间的寄生晶体管产生。当寄生可控硅被扰动激活，导致了µC的电源短路，并导致内部结构的破坏时，就会出现一种延迟现象。以下的条件可能会导致“锁存”:
2018-04-16 09:21
CMOS图像传感器的像素结构目前主要有无源像素图像传感器（Passive Pixel Sensor，PPS）和有源像素图像传感器（Active Pixel Sensor，APS）两种.
2019-10-11 15:18
瞬态总线电压会严重破坏集成电路。一个集成电路可以处理的最大电压由设计流程决定，尤其是，一些小的CMOS结构器件能处理的电压很低。瞬态或持续的过压条件将永久破坏设备。
2018-09-17 15:54
BA5048和BA5050是配对使用的红外线遥控发射接收芯片。BA5048是发射器，采用CMOS结构，功耗极低，工作电压范围宽（1.5～5．O V）；内置振荡电路，外围电路也极为简单；具有18种功能及75种指令；可以单键触发、多键触发（最高达6键）。
2018-03-22 17:29
