AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。AD587的性能明显高于大多数
2023-06-26 17:55 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。AD586的性能明显高于大多数
2023-06-27 09:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR440系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 11:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR445系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 13:49 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR444系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 13:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR443系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 11:47 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度CMOS基准电压源，具有±0.1
2023-06-25 10:05 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术
2023-06-26 13:37 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
