AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。AD587的性能明显高于大多数
2023-06-26 17:55 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。AD586的性能明显高于大多数
2023-06-27 09:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR445系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 13:49 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR440系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 11:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AD680是一款带隙基准电压源，可以利用4.5 V至36 V的输入提供2.5 V输出。它采用的架构使之能以极低的静态电流工作，同时实现出色的直流特性和噪声性能。通过对高度稳定的薄膜电阻调整，可获得
2023-06-26 17:46 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR441系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 11:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR444系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 13:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ADR443系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 11:47 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
