基准电压源电路作为模拟集成电路不可缺少的模块，对其进行分析和研究具有重要意义。本文通过Hspice对四种MOS管基准电压
2011-08-11 10:24
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数。基于SMIC0.13μm的CMOS
2011-01-04 16:17
基于SMIC0.35 m的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过
2013-01-22 14:52
本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
低电压高精度CMOS基准电流源设计
2011-01-24 15:10
REF34xx-EP 器件是一款低温漂移（10 ppm/°C）、低功耗、高精度 CMOS 基准电压源，具有 ±0.05% 的初始精度、低工作电流和低于 95 μA 的功
2025-08-11 14:31
REF34xx-EP 器件是一款低温漂移（10 ppm/°C）、低功耗、高精度 CMOS 基准电压源，具有 ±0.05% 的初始精度、低工作电流和低于 95 μA 的功
2025-08-11 13:44
基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍
2011-05-25 14:52
CMOS基准电流源
2017-01-22 20:29
低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源_邓玉斌
2017-01-08 10:24
