PMOS（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。它具有许多优点，如低功耗、高输入阻抗、易于集成等。本文我们将讨论PMOS晶体管的饱和条件，以及VGS（栅源电压
2024-07-31 14:58
一对N沟道和P沟道 MOS 管以推挽形式工作，构成互补的金属氧化物半导体器件（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）。
2025-05-12 16:14
CMOS摄像器件控制电路
2009-02-28 11:18
三极管的饱和及深度饱和状态。三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*
2018-03-04 17:09
９.１.５集电区中的大电流效应：饱和和准饱和９.１双极结型晶体管（BJT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产A
2022-03-14 11:20 深圳市致知行科技有限公司 企业号
在现代电子设备中，电感器件扮演着至关重要的角色。然而，当电感器件遇到高频电流或强磁场时，一种称为“电感饱和”的现象可能会发生。电感饱和是一种令人困惑的现象，它对电子元件
2023-08-08 09:35
本文将对双极性器件与CMOS器件进行比较，帮助用户判断每款器件的适用之处。文中将以高性能超声波设备为例，探讨如何平衡噪声、功耗、芯片占位面积以及集成度等问题。
2011-12-29 11:34
临界饱和是三极管从放大状态过渡到饱和状态的临界点； 深度饱和没有具体的定义，基极电流要足够大，网上看到大于2倍临界饱和Ib。
2022-08-02 18:01
饱和电感是一种特殊的电感元件，其设计目的是在电流达到一定数值时，保持电感值不变，达到电感器件饱和的状态。饱和电感的设计需要考虑多方面的因素，包括电流、电感值、材料等。下
2023-12-19 17:10
电感是DC / DC电源中的重要组成部分。选择电感需要考虑很多因素，例如电感值、DCR、尺寸和饱和电流。电感的饱和特性常会被人们误解而带来麻烦。本文将探讨电感如何达到饱和、饱和
2022-12-14 09:19
