6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.2SiC
2022-01-24 10:09 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.7迁移率限
2022-01-24 14:08 深圳市致知行科技有限公司 企业号
8.1.6功率JFET器件的实现8.1结型场效应晶体管(JFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.1.5增强型和耗
2022-02-21 09:29 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.5总结第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、
2022-01-27 09:16 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.1基
2022-01-25 09:18 深圳市致知行科技有限公司 企业号
5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25 深圳市致知行科技有限公司 企业号
7.1.1阻断电压7.1SiC功率开关器件简介第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.5总结∈《碳化硅技术基本原理—
2022-02-07 16:12 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.2.1反应性离子刻蚀6.2刻蚀第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原
2021-12-31 10:57 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原
2022-01-04 14:11 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.1.5高温退火和表面粗糙化6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理
2021-12-31 14:25 深圳市致知行科技有限公司 企业号
