本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可
2020-12-23 16:06
作为和双极型晶体管三极管对应的一种单极型晶体管就是FET场效应管，所谓的场效应就是利用电场的效应来控制器件导通。
2018-03-05 13:57
CMOS器件的输入信号上升时间或下降时间统称为输入转换时间，输入转换时间过长也称为慢CMOS输入。如果输入信号上升时间过长，超过器件手册允许的最大输入转换时间，则有可能
2023-10-31 10:39
衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配，外延层中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应，影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00
2010年，爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应晶体管，器件结构如图1.15所示。从此，半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮，每年的国际
2025-05-19 16:08
闩锁效应（Latch-up）是CMOS工艺中一种寄生效应，通常发生在CMOS电路中，当输入电流过大时，内部电流急剧增加，可能导致电路失效甚至烧毁芯片，造成芯片不可逆
2024-12-27 10:11
transistor），另外一种是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET或者MOS，metal-oxide-semiconductor field effect transistor）。我们这里主要来聊聊MOS了，那个BJT在现在数字IC设计中已经不是主流工艺了。
2018-07-30 10:50
实验指出，发红、黄光的InGaAlP LED与发蓝、绿光的InGaN LED，其光输出强度均明显依赖于器件的结温。也就是说，当LED的结温升高时，器件的输出光强度将逐渐减小；而当结温下降时，光输出强度将增大，一般情况下，这种变化是可逆与可恢复的，当温度回到原来的值
2019-09-25 16:14
众所周知，有源器件会在系统中产生非线性效应。人们已开发出多种技术来改善此类器件在设计和运行阶段的性能。容易忽视的是，无源器件也可能引入非线性
2022-04-14 09:33
本文主要介绍了场效应管发热严重的原因以及场效应管的工作原理。场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道
2018-01-30 15:13
