半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58
本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制作P型半导体。学习氧化镓仿真初期
2023-11-27 17:15
本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12
CMOS器件的输入信号上升时间或下降时间统称为输入转换时间，输入转换时间过长也称为慢CMOS输入。如果输入信号上升时间过长，超过器件手册允许的最大输入转换时间，则有可能
2023-10-31 10:39
在本例中，通过使用FDTD求解器和CHARGE求解器对CMOS图像传感器的光学和电学特性进行仿真，从而分析其角度响应。仿真的结果主要包括：光的空间分布与传输，光效率及量子效率与光入射角度的关系，同时还分析了微透镜位移
2022-10-19 11:51
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26
SCR在CMOS技术的ESD保护中发挥着越来越重要的作用。一个主要的挑战是为这些器件在ESD应力条件下开发有效的紧凑仿真模型。
2023-11-20 18:21
本推文简述三极管即BJT器件，具体包括NPN和PNP的仿真相关内容。
2023-11-27 17:09
用户可以通过使用仿真工具来预测发生这些问题的可能性，并解决这些问题。ADC模拟输入级仿真的确定依赖于电压和电流的准确度。正是在这个方面，模拟SPICE宏模型能够发挥作用。PCB数字信号完整性取决于
2018-07-11 10:01
产生的热量。即使使用这种新型材料，最好的电子仿真程序也正在丰富其用于功率器件的这些组件的库。本文解释了如何通过LTspice程序导入和使用 GaN 组件库来执行任何类型的电子仿真。
2022-08-05 08:04
