DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。
2012-04-16 12:11
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速异步SRAM，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI
2020-04-03 16:40
SRAM,SRAM原理是什么? 静态随机存取存储器SRAM。 SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 C ache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，
2010-03-24 16:11
每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成，这两个反相器相互连接，每个反相器的输出电位被用作另一个反相器的输入。这种结构使得每个SRAM单元都可以保存一个二进制位（0或1），直到它被新的数据覆盖。
2024-02-19 11:02
SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力
2023-12-06 11:15
本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216，是高速，8M位静态SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技术，按照512K个字（16）位进
2023-07-22 14:58
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小。
2017-11-03 16:11
带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被
2025-02-28 10:00
SRAM模块,SRAM模块结构原理是什么? RAM 结构框图如图1 所示。它主要由存储矩阵（又称存储体）、地址译码器和读/写电路 3 部分组成。存储矩阵是存储
2010-03-24 16:28
、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用SDRAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用SRAM，在存取速度上，SRAM》SDRAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备
2017-11-03 18:26
