通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00
分为三个主要类别： 高功率 BiCMOS：主要目标是功率器件的 RDSON 和击穿电压。通常具有非常广泛的组件类型（双极、CMOS、LDMOS 和 DEMOS 器件），涵盖从低压（LV，几伏）到极高电压（HV，数百伏）的应用。 高速 BiCMOS：主要目标是双极器
2021-06-11 11:31
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB
2011-12-01 11:21
LDMOS，全称为Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor（侧向双扩散金属氧化物半导体），是一种特殊类型的MOSFET（金属氧化物半导体
2024-08-23 14:03
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了
2017-12-08 20:01
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的
2011-12-01 10:50
LDMOS属于功率半导体器件，主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域，可采取GGNLDMOS的设计思路。
2023-12-06 13:54
什么是RF LDMOS晶体管 DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩
2010-03-05 16:22
LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用
2017-12-05 05:19
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2017-11-23 06:44
