的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是 在相同的源/漏
2020-05-24 01:19
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠
2020-04-07 09:00
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了
2019-06-26 07:33
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52
通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00
分为三个主要类别： 高功率 BiCMOS：主要目标是功率器件的 RDSON 和击穿电压。通常具有非常广泛的组件类型（双极、CMOS、LDMOS 和 DEMOS 器件），涵盖从低压（LV，几伏）到极高电压（HV，数百伏）的应用。 高速 BiCMOS：主要目标是双极器
2021-06-11 11:31
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB
2011-12-01 11:21
LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体）以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用
2017-10-13 10:59
