想了解一下RF IC设计中的SiGe Bipolar或BiCMOS工艺，在此先谢谢了！
2016-02-20 22:59
对VCO提出高性能要求：获得更宽的调谐范围和更低的相位噪声(Nphase)。文献[1]介绍了一种增益可调节的CMOS LC VCO，但调节范围只有4.39～5.26 GHz，功耗为9.7 mW，在1
2019-07-12 08:03
逻辑电路，第10章介绍先进的半导体存储电路，第11章介绍低功耗CMOS逻辑电路，第12章介绍双极性晶体管基本原理和BiCMOS数字电路设计，第13章详细介绍芯片的I/O设计，最后两章分别讨论电路的可制造性
2013-11-30 11:25
为了解决传统S/H电路失真大和静态工作点不稳定的问题，采用0.25 μm BiCMOS工艺，设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S/H电路。文中改进型自举开关电路和双通道开关电容共模反馈电路（CMFB）设计具有创新性。
2021-04-21 06:24
低功耗44Gb/s CDR芯片内嵌在CMOS芯片里该芯片在数据率为40Gb/s时的功耗为0.9W，小于用SiGe、BiCMOS或其他复合半导体技术制成的器件的1/3。它使用了创新的3X过采样构架
2009-05-26 17:23
LD39150DT33-R DPAK超低压BiCMOS电压调节器的典型应用。 LD39150是一款快速超低压降线性稳压器，采用2.5至6 V输入电源供电。提供多种输出选项。低压降，低噪声和超低静态
2019-05-21 09:18
1.5GHz BiCMOS级间电感匹配低噪声放大器设计，不看肯定后悔
2021-04-23 07:12
模拟前端器件，又集成数字解调器。这种需求只能利用CMOS或BiCMOS工艺实现，BiCMOS工艺能提高模拟设计的性能，但成本也相应提高，这不仅因为单位面积的成本增加，而且需要为数字电路部分预留更大
2021-07-29 07:00
/GSM双模射频芯片”。CMOS工艺正逐渐取代硅锗BiCMOS工艺和硅BiCMOS工艺成为射频芯片的主流工艺，与此同时，射频芯片集成更多的功能也成为热门话题。面对国外企业的竞争，本土企业在保持清醒头脑的同时，对于竞争
2019-07-05 08:33
BiCMOS集成电路，它综合了双极和MOS集成电路的优点，普通双极型门电路的长处正在逐渐消失，一些曾经占主导地位的TTL系列产品正在逐渐退出市场。CMOS门电路不断改进工艺，正朝着高速、低耗、大驱动能力、低
2019-03-02 06:00
