MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2016-04-06 14:21
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介质击穿
2018-03-27 18:21
当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压（VBR）时，iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“反向击穿”状态。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范
2020-08-27 16:28
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-04-25 14:43
CMOS集成电路具有很高的输入阻抗，其内部输入端接有二极管保护电路.以防范外界干扰、冲击和静电击穿。
2012-04-01 11:00
击穿是电路设计者最不想看到的现象之一，但是由于各种各样的原因，击穿总是时不时发生。本文就将为大家介绍在电路中经常出现的集中击穿现象，并简述如何对这种击穿现象进行预防。
2019-05-24 13:57
本文主要介绍了cmos电路焊接注意事项、CMOS数字集成电路的特点、CMOS数字集成电路使用注意事项。CMOS集成电路由于输入电阻很高，因此极易接受静电电荷。为了防止产
2018-03-22 15:46
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
