在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极
2017-06-01 15:59
`电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被
2018-03-28 10:17
击穿原因过压击穿，电子元器件质量有问题。或者模拟示波器采不到一些高频反向峰值电压。实例分析：输出80V，用RS1M作为次级整流二极管，反向峰值电压如图通道1所示：在主绕组空载的时候辅助绕组带载能力是很弱的。...
2021-10-28 06:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 我这有一个BTA06的双向可控硅电路，负载接的是电机，用了一段时间后发现可控硅很容易击穿，之后电路就一直处于导通状态，分析了很久没发现什么问题，求各路高手帮忙一下，到底哪里设计错了？另外，一直弄不明白R0和R4有什么用。。。
2012-10-22 20:18
这几年有点背，逐渐远离主流话题，所以有人就有了这样的问题：DSP会被FPGA取代吗？小编总结了各个网友的回答： 网友一：独立的DSP不会被FPGA替代，但是会被增强了信号处理功能的ARM处理器替代
2021-07-16 08:12
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2013-08-27 12:50
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2013-08-27 12:52
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2013-08-27 12:47
LED死灯有很多种原因，但由于LED本身抗静电能力弱，因此，大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应
2013-06-03 12:57
在PC机当中，有一个CMOS RAM芯片，我们一般简称为CMOS，这个芯片的特征如下所示 1、包含一个实时钟和一个有128个存储单元的RAM存储器，关机后其内部的实时钟还是可以正常工作的，RAM当中
2021-07-26 07:55
