对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于亚阈值
2021-06-24 06:56
SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。【关键词】：特征尺寸;;临界电荷;;LET阈值;;单粒子翻转;;CMOS SRAM【DOI】：CNKI:SUN:YZJS.0.2010-02-019【正文快照
2010-04-22 11:50
stm32F407VET6，如何判断支持CMOS和TTL电平的IO口的的电平阈值，手册说的是所有IO口都支持CMOS和TTL电平，且不需要软件配置， 在标明IO口高低电平阈值
2024-04-16 08:24
各位大侠，最近仿真了一个比较器，发现前置放大器中输入差分对管的直流工作点在亚阈值区域，请问工作在亚阈值区域的目的是什么？或者这样设计有问题吗？另外差分对管的偏置电流为2
2021-06-24 07:29
想请教一下，现在很多论文都是将差分折叠式运放输入对管放在亚阈值区，实际应用中管子工作在亚阈值区到底好不好，对整个电路的影响大不大？想问在
2021-06-24 07:45
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2018-11-28 14:28
组件文档中有关于I2C总线上可靠逻辑转换的注释。I2CYV3O50.PDF状态：“注意，引脚组件的默认阈值电压是CMOS。当I2C线被拉高到3.3 V并且PSoC在5 V上运行时，CMOS
2019-10-10 06:33
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目
2021-07-29 07:00
本文选择了SoC芯片广泛使用的深亚微米CMOS工艺，实现了一个10位的高速DAC。该DAC可作为SoC设计中的IP硬核，在多种不同应用领域的系统设计中实现复用。
2021-04-14 06:22
