本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度
2023-11-21 18:19
电压的情况。在亚阈值区，MOSFET器件的电流呈指数增长的特性，而非线性关系。 MOSFET中的阈值电压是通过器件的制造工艺来调整和控制的，
2024-03-27 15:33
基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电压基准源，该电路可
2010-12-30 10:25
对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于亚阈值
2021-06-24 06:56
面向近亚阈值的标准单元库设计方法_商新超
2017-01-03 15:24
为什么亚阈值区还有电流？为什么亚阈值区电流饱和条件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亚
2023-09-21 16:09
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性
2023-02-09 10:19
Tsallis熵的参数在图像阈值分割中的应用_宋亚玲
2017-03-19 18:58
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
stm32F407VET6，如何判断支持CMOS和TTL电平的IO口的的电平阈值，手册说的是所有IO口都支持CMOS和TTL电平，且不需要软件配置， 在标明IO口高低电平阈值
2024-04-16 08:24
