MOS管的漏电流是什么意思？MOS管的漏电流主要有什么组成？
2021-09-28 07:41
对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于
2021-06-24 06:56
各位大侠，最近仿真了一个比较器，发现前置放大器中输入差分对管的直流工作点在亚阈值区域，请问工作在亚阈值区域的目的是什么？或者这样设计有问题吗？另外差分对管的偏置
2021-06-24 07:29
本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56
想请教一下，现在很多论文都是将差分折叠式运放输入对管放在亚阈值区，实际应用中管子工作在亚阈值区到底好不好，对整个电路的影响大不大？想问在
2021-06-24 07:45
（新人目前积分较少，若有大神可帮助解决必定不胜感激） 在电源开关电路中，将稳压管并联在SCR的阳极和控制极两端作为开关，理论上当Vin大于稳压管阈值时，经过稳压管会有反向漏电流进入SCR的控制极
2023-10-10 08:57
本人最近在学习自举电容的选择方法， 期间查阅资料，说到影响自举电容大小，要考虑的因素包括一条是驱动芯片所接MOS管的栅源极间正向漏电流。 一直对于漏电流不清楚其含义，原来只知道反向漏电流，现在又来了正向
2020-04-16 00:14
任何超级电容器都会在通电的情况下，通过内部并联电阻EPR放电，这个放电电流称为漏电流，它会影响超级电容器单元的自放电。由于漏电流的存在，内部并联电阻的大小将决定串联的超级电容器单元上的电压分配，当
2021-04-01 08:49
我正在尝试确定CY7C1041CV33的I/O引脚的漏电流。数据表说明了设备的输入泄漏电流和输出泄漏电流。I/O管脚的漏电流等于输入和输出
2019-09-20 14:49
作者: TI 专家 Bruce Trump 翻译: TI信号链工程师 David Zhao (赵大伟)由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与
2018-09-21 15:39
