本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
隔离变压器输出一端接地的漏电流测试。测试的漏电流有电气设备绝缘漏电流和隔离变压器与调压器由于分布电容形成的容性漏电流。
2019-09-13 15:14
漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。发光二极管通常都工作在正向导通状态下，漏电流指标没有多大意义。
2019-07-30 16:36
电容器的漏电流时电容的一个负面的指标。在理想的情况下电容两个极板间是不能够有电流流通的，但是哲学里面讲任何的事物都不是绝对的，所以电容的两端会存在电流，这种电流就是我们
2018-11-15 18:50
对于硅基DFB激光器，可以通过调整脊宽、刻蚀深度、光栅厚度和光栅位置等结构参数来优化其整体性能，从而降低阈值电流。例如，通过这些参数的优化，可以实现最佳的DFB激光器，其阈值电流可以低至5 mA。
2024-10-30 10:42
在安规测试中，有耐压测试和漏电流测试两项，发现两者的测试连接方式几乎一致，一端接零火线，一端接外壳，而且耐压合不合格看的就是电流有没有小于要求值，两者原理看似一致，为何要分耐压测试和漏电流测试？
2023-06-05 09:09
在理想的情况下电容两个极板间是不会有电流流过的，但是由于它们之间的电介质并不能完全的绝缘，因此在直流电压的作用下就会有少量的电流流过，就称为漏电流。
2023-02-21 15:47
）达到某一阈值（Vt或Vth，即阈值电压）时，MOS管开始导通。对于N沟道MOS管，当VGS大于Vt时，栅极下的P型硅表面发生强反型，形成连通源区和漏区的N型沟道，此时MOS管导通。而对于P沟道MOS管，情况则相反，当VGS小于某个负
2024-11-05 14:03
