为什么亚阈值区还有电流？为什么亚阈值区电流饱和条件是Vds是Vt的三四倍
2023-09-21 16:09
基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源
2010-12-30 10:25
电压的情况。在亚阈值区，MOSFET器件的电流呈指数增长的特性，而非线性关系。 MOSFET中的阈值电压是通过器件的制造工艺来调整和控制的，
2024-03-27 15:33
随着工艺进入深亚微米阶段,漏电流带来的静态功耗已经成为不可忽视的部分。多阈值CMOS技术是一种降低电路漏电流功耗的有效方
2010-02-24 15:51
对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于
2021-06-24 06:56
本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
公式表明Vt与绝对温度T成正比（PTAT）。Vt在宽范围温度内是线性的。如果用PTAT 电流来偏置亚阈值区的MOS管，可以消除Vt对gm的影响。
2023-09-28 11:48
对于一些面板上的拨码开关等电路，为了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏电流过大，以致上拉电阻上的压降过大，从而造成高电平过低，不能达到CMOS的高电平阈值。
2023-11-16 10:08
漏电流会导致功耗，尤其是在较低阈值电压下。了解MOS晶体管中可以找到的六种泄漏电流。 在讨论MOS晶体管时，短通道器件中基本上有六种类型的漏电流元件： 反向偏置PN结
2023-05-03 16:27
