CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
在芯片的硅基世界中，硼离子注入（Boron Implant） 如同纳米级的外科手术——通过精准控制高能硼原子打入晶圆特定区域，构建出晶体管性能的“地基”。而其中颠覆传统的逆向阱（Retrograde Well） 技术，更是将芯片的能效与速度推向新高度。
2025-06-13 11:43
量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。
2023-12-18 10:42
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
1.QWHE传感器可用于制造出色的电流隔离器。（QHHE是量子阱霍尔效应传感器）QWHE 隔离器具有更低的噪声和寄生电容、更宽的温度和频率工作条件、更高的线性度、更高的灵敏度和紧凑的尺寸（传感器尺寸为 210 μm × 210 μm)。
2022-06-02 17:23
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的
2019-06-11 17:19
门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，其具有很低的导通电阻（几百欧）和很高的截止电阻（大于10^9欧）。所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并
2018-04-08 14:06
对于传统的MOSFET器件，虽然因为栅极绝缘层的采用大大抑制了栅极漏流，但是硅沟道较低的电子迁移率也限制了其在超高频、超高速等领域的应用。
2025-05-14 11:14
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n型和p型阱接触的有源区，或者n
2024-11-09 10:04
