13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀法和ＩＣＰ 刻蚀
2009-10-06 09:52
什么是闩锁效应？闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的
2012-08-01 11:04
商业硅霍尔传感器与量子阱霍尔传感器生成的区别在哪？
2022-02-22 08:03
生产。在这个图中，我们同时也描绘了寄生电路，它包含了两个BJT(一个纵向npn和一个横向pnp)和两个电阻(RS是因N型衬底产生，Rw是因P阱产生)。BJT的特性和MOS是完全两样的。
2018-08-23 06:06
沟道）PMOS、NMOS、CMOS 2、（根据负载元件）E/R、E/E、E/D 半导体制造工艺分类 三Bi-CMOS工艺： A以CMOS工艺为基础 P
2011-09-23 14:43
1.2量子霍尔传感器型号分别为：P2A、P3A、P15A，有SM和TS封装方式。1.3量子霍尔传感器利用分子束外延技术制造薄膜晶片以及量子阱霍尔效应（QWHE）制造，基
2022-03-02 07:30
面试题目）23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，
2012-04-28 15:22
、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）23、硅栅COMS工艺中N阱中
2012-02-24 09:39
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
新技术（请参看问答1），鉴于N沟道场效应管在生产工艺和电气性能方面均比P沟道场效应管优越的原因，CMOS电路采用P衬底是理所当然的，因为在采用
2012-05-22 09:38
