N型单导体和P型半导体是两种不同类型的半导体材料，它们具有不同的电子特性和导电能力。
2024-02-06 11:02
从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET，p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P
2025-05-16 14:58
以同样的方式理解p型材料(如下图所示)。不同之处在于，只有元素周期表第三列的硼被用来使p型的硅掺杂。当硼与硅混合时，硼也从硅中吸取电子。然而，这里也只能凑齐三个外层电子
2023-11-17 09:11
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，
2019-06-26 16:04
N型硅片通常需要更高纯度的硅料，这意味着它们含有的金属杂质较少，这些金属杂质可能会作为复合中心降低少子寿命。
2024-04-25 11:46
二极管中的点接触型、面接触型和平面型在结构、工作原理以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这三种类型二极管的比较： 一、结构区别 点接触型二极管 ： 结构简单，由P
2024-09-24 10:30
本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动 “ADALM2000实验：使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能” 中探讨的CMOS逻辑基本原理，并获取更多使用复杂CMOS
2023-05-29 14:16
本文介绍了N型单晶硅制备过程中拉晶工艺对氧含量的影响。
2025-03-18 16:46
Nanodcal软件通过虚晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法实现半导体的n型或者p型掺杂。为了确保Si在中心区域的长度大
2022-09-07 16:38
接触形成的结构。在P型半导体中，由于掺杂了硼等元素，形成了空穴浓度较高的区域；而在N型半导体
2024-09-18 09:51
