CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
PCB离子阱质量分析器采用线形离子阱结构，其电极使用PCB加工而成，其截面被设计成矩形。采用这种设计的原因在于：其一，线性离子阱具有比传统三维离子阱更
2010-09-20 02:54
倒掺杂阱（Inverted Doping Well）技术作为一种现代半导体芯片制造中精密的掺杂方法，本文详细介绍了倒掺杂阱工艺的特点与优势。 在现代半导体芯片制造中，倒
2025-01-03 14:01
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图所示。在进行
2022-11-14 09:32
图 1：示意图显示了三种不同相机的示例，它们具有不同的像素大小和不同的满阱容量。这些相机表明，全阱容量随着像素尺寸的增加而增加。在此示例中，尺寸增加超过 1.5 倍会导致像素内存储的电子增加 3.8
2024-04-22 07:01
CMOS芯片是一种低耗电存储器，其主要作用是用来存放BIOS中的设置信息以及系统时间日期。CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件。
2017-12-13 18:29
在芯片的硅基世界中，硼离子注入（Boron Implant） 如同纳米级的外科手术——通过精准控制高能硼原子打入晶圆特定区域，构建出晶体管性能的“地基”。而其中颠覆传统的逆向阱（Retrograde Well） 技术，更是将芯片的能效与速度推向新高度。
2025-06-13 11:43
