高速CMOS四总线缓冲器MC74VHC125DG带三态控制输入 EDA模型与数据手册分享
2025-05-29 15:02
镜头DG和DN之间存在几个主要区别，包括设计、适用范围和使用目的等方面。下面将从这些方面详细介绍它们之间的区别，以及每种镜头的优点和缺点。 一、设计差异 外观设计：DG（Digital）镜头和DN
2024-01-12 13:51
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
DG128的EEPROM的映射问题,研究了几天,没有研究明白,最终决定用PE了,用PE自动把EEPROM映射了,EPROM地址为:0x1800~0x1FEF，2KB的空间；RAM为：0x2000~0x3FFF，8KB的空间，并能够成功的对EEPROM进行读
2010-02-14 10:09
串联终端的传输线 是连接CMOS器件的主要方法 ，在下面的讨论中，所有提到的器件都是CMOS器件。CMOS器件实际上导致了ECL技术的灭亡，因为使用ECL，无论采取什么
2020-12-30 12:53
DG1353是包括音频输出级的单片式电视伴音通道集成电路.它的功能有三级伴音限幅中放,低通滤波,小音量
2010-10-10 11:59
BIOS和CMOS的既相关又不同，BIOS中的系统设置程序是完成CMOS参数设置的手段;CMOS既是BIOS设置系统参数存放场所，又是BIOS设置系统参数的结果。
2018-01-08 19:40
参考上面的CMOS反相器图，由于CMOS器件输入端的电压在5伏和0伏之间变化，因此PMOS和NMOS的状态将相应地不同。
2021-01-21 11:37
本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构（双极晶体管）被触发导通，在电源和地之间
2020-12-23 16:06
CMOS主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带负电） 和 P（带正电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流经过处理后即可得出影像。
2021-06-13 16:27
